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· 縮短樣品制備時間:低真空和環(huán)境真空技術可針對不導電和/或含水樣品直接成像和分析,樣品表面無荷電累積;
· 在各種操作模式下分析導電和不導電樣品,同步獲取二次電子像和背散射電子像;
· 安裝原位冷臺、珀爾帖冷臺和熱臺,可在-165℃到1400℃溫度范圍內進行原位分析;
· 的分析性能,樣品倉可同時安裝三個EDS探測器,其中兩個EDS端口分開180℃、WDS和共面EDS/EBSD;
· 針對不導電樣品的分析性能:憑借“壓差真空系統(tǒng)"實現(xiàn)低真空模式下的精確EDS和 EBSD分析。